電阻率的符號(hào)和單位是()
A.p , Ω·m
B.p , S·m-1
C.σ, Ω-1.m-1
A、p , Ω·m
A.p , Ω·m
B.p , S·m-1
C.σ, Ω-1.m-1
A、p , Ω·m
第4題
A.Ω?m還可以用Ωm表示,也可用mΩ表示;
B.Ω?m的中文名稱是“歐姆?米”,簡稱“歐?米”;
C.Ω?m的中文符號(hào)是“歐米”;
D.Ω?m的中文符號(hào)是“歐?米”。
第5題
A.Ω?m還可以用Ωm表示,但不能用mΩ表示
B.Ω?m的中文名稱是“歐姆?米”,簡稱“歐?米”
C.Ω?m的中文符號(hào)是“歐米”
D.Ω?m的中文符號(hào)是“歐?米”
第6題
A、表中各種名詞、術(shù)語、符號(hào)、縮略語等必須與正文一致
B、內(nèi)容不宜太多、太少
C、內(nèi)容一定與文字有重復(fù)
D、注意標(biāo)明單位,單位不要重復(fù)出現(xiàn)在數(shù)字中
E、表中統(tǒng)計(jì)學(xué)符號(hào)規(guī)范,列出具體統(tǒng)計(jì)值及其P值
第8題
第9題
由電阻率為1Ω·cm的P型鍺和0.1Q·cm的n型鍺半導(dǎo)體組成一個(gè)pn結(jié),計(jì)算在室溫(300K)時(shí),內(nèi)建電位差VD和阻擋層寬度。已知在上述電阻率下,p區(qū)的空穴遷移率μp=1650cm2/(V·s),n區(qū)電子的遷移率μn=3000cm2/(V·s),鍺的本征載流子濃度ni=2.5×1013cm-3。