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題目?jī)?nèi)容
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[主觀題]

          試比較SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特點(diǎn)。若某應(yīng)用設(shè)計(jì)需要一種既可高速改寫(xiě)，又能在掉電時(shí)保存數(shù)
          

          

          
據(jù)的存儲(chǔ)器，可采用哪類芯片或哪種技術(shù)？
          

          

          

          

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更多“試比較SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特點(diǎn)。若某應(yīng)用設(shè)計(jì)需要一種既可高速改寫(xiě)，又能在掉電時(shí)保存數(shù)”相關(guān)的問(wèn)題

          

          

          第1題
          

          ROM和RAM使用上有何特點(diǎn)？比較DRAM和SRAM在速度、容量等方面的差異？
          

          

          
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          第2題
          

          某機(jī)器的尋址空間為64K，數(shù)據(jù)總線為8位?，F(xiàn)有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信號(hào)；4K×8位DRAM芯片
          

          
，DRAM有CS、wE等控制信號(hào)，數(shù)據(jù)總線是雙向。CPU有MERQ、R／W等控制信號(hào)(表示低電平有效)。 (1)寫(xiě)出DRAM控制器內(nèi)部的邏輯部件名稱； (2)從0000H開(kāi)始安排32K×8位SRAM，從A000H安排8K×8位DRAM，畫(huà)出CPU的DRAM存儲(chǔ)器連接電路圖(包括74LS138等組成的片選電路、DRAM控制器，DRAM控制器僅要求畫(huà)出輸入、輸出信號(hào))； (3)設(shè)DRAM讀／寫(xiě)周期為0．5μs，CPU在1μs內(nèi)要訪問(wèn)內(nèi)存1次或2次，平均1μs訪存約1．2次，刷新周期為2ms。有哪幾種刷新方式，采用哪種刷新方式比較合理，并說(shuō)明采用的刷新方式的時(shí)間參數(shù)和理由。
          

          
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          第3題
          

          SRAM，DRAM原理一樣，只是SRAM需要刷新。（）
          

          

          
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          第4題
          

          下面關(guān)于SRAM、DRAM存儲(chǔ)器芯片的敘述中，正確的是______。
          

          

          A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉電后所存放的內(nèi)容會(huì)丟失 
          B.SRAM的集成度比DRAM高 
          C.DRAM的存取速度比SRAM快 
          D.CPU中的cache既可用SRAM構(gòu)成也可用DRAM構(gòu)成
          

          
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          第5題
          

          下面是關(guān)于DRAM和SRAM存儲(chǔ)器芯片的敘述： Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ．SRAM比DRAM成本高 Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新 其中正確的敘述是______。
          

          

          A.Ⅰ和Ⅱ 
          B.Ⅱ和Ⅲ 
          C.Ⅲ和Ⅳ 
          D.Ⅰ和Ⅳ
          

          
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          第6題
          

          下面是有關(guān)DRAM和sRAM存儲(chǔ)器芯片的敘述： Ⅰ．DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)比sRAM簡(jiǎn)單 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正確的是______。
          

          

          A.Ⅰ和Ⅱ 
          B.Ⅱ和Ⅲ 
          C.Ⅲ和Ⅳ 
          D.Ⅰ和Ⅳ
          

          
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          第7題
          

          組合一個(gè)32KB內(nèi)存，采用( )組件來(lái)組合最適合。
          

          

          A.DRAM 256K×1位 
          B.DRAM 64K×4位 
          C.SRAM 64K×4位 
          D.SRAM 16K×8位
          

          
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          第8題
          

          SRAM和DRAM存儲(chǔ)器都需要電容充電刷新。（)
          

          

          SRAM和DRAM存儲(chǔ)器都需要電容充電刷新。( )

          
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          第9題
          

          DRAM芯片的讀寫(xiě)速度比SRAM芯片慢。（）
          

          

          
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          第10題
          

          屬于只讀存貯器的芯片是（)。
          

          

          A.SRAM
          B.DRAM
          C.EPROM
          D.SDRAM
          

          
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